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RESISTIVITY 抵抗率

2015年02月11日

 車馬駄馬田 at 08:00 | Comments(0) | res...
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RESISTIVITY 抵抗率

$$ The sensor 10 has an insulating substrate 20 of sapphire, high resistivity silicon (>50 ohms/square) or insulating GaAs. / センサ10は、サファイア、高抵抗率シリコン(>50オーム/平方)、または絶縁GaAsの絶縁基板20を有する。(USP6809514)

$$ The semi-conductor material is doped with boron or phosphorous to a sufficiently high concentration to give the semi-conductor material a resistivity of 10.sup.3 Ωcm or less. / この半導体材料は、これに103Ωcm以下の抵抗率を与えるに充分高い濃度にホウ素又はリンで以てドープされる。(USP5407276)

$$ Preferably the prism array is fabricated from high resistivity (>10 kohm/cm) silicon so that the absorption loss experienced by the signal wave 6 is minimised. (USP7626756)

$$ The rate of decline of the AC current is dependent primarily on the electrical resistivity of the wrap or coating used and the area of the wrapping in contact with the soil per unit length. (USP7635976)

$$ This increase in resistivity will lower the overall heat output from the cable, as the total resistance of the cable will increase. (USP7566849)

$$ The method of claim 1 wherein the bulk electrical resistivity of said batch material is less than 10.sup.8 Ω-meter. (USP01008076)

$$ For the given core size, a resistivity of 10.sup.31 6 ohm-metres and a critical current of 2000A, this requires a critical current density of 2.5 10.sup.7 A/m2, which is relatively undemanding. (USP02017974)

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