CONFORMAL / 共形の・等角の
2011年02月22日
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CONFORMAL / 共形の・等角の
$$ Conformal metal coverage over the sidewall is necessary. / 側壁上には共形の金属被覆が必要である。(USP7598149)
$$ FIG. 7 is an optical microphotograph of the array of FIG. 6, showing conformal metal coverage / 【図7】図6に示すアレイの共形金属被覆のマイクロ写真。(USP7598149)
$$ The conformal mapping technique, z→ω, is required to be analytic in the upper half plane of ω for θ and hence the energy to be non-singular. / θに対するωの上半分平面において分析的にするめに、そしてエネルギーが非正則(non-singular)であるために、等角マッピング技術(conformal mapping technique)(z→ω)が、必要とされる。(USP7053975)
$$ Typically these devices are manufactured using multi-step lithography/etching processes, to form the active device in a geometry conformal to the plane of silicon substrates. / 通常、これらのデバイスは、多数ステップのリソグラフィ/エッチング工程を使用して製造され、シリコン基板の平面に共形の幾何構造に能動デバイスを形成する。(USP6980362)
$$ Simultaneously the electrode material deforms around the contact conductor and forms a closely conformal contact with low electrical resistance and high resistance to leakage of electrolyte. / 同時に、電極材料が接触導電体の周囲で変形することで、電気抵抗が低く且つ電解質の漏洩に対する防御性の高い相似性の高い接触が得られる。(USP5914019)
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CONFORMAL / 共形の・等角の
$$ Conformal metal coverage over the sidewall is necessary. / 側壁上には共形の金属被覆が必要である。(USP7598149)
$$ FIG. 7 is an optical microphotograph of the array of FIG. 6, showing conformal metal coverage / 【図7】図6に示すアレイの共形金属被覆のマイクロ写真。(USP7598149)
$$ The conformal mapping technique, z→ω, is required to be analytic in the upper half plane of ω for θ and hence the energy to be non-singular. / θに対するωの上半分平面において分析的にするめに、そしてエネルギーが非正則(non-singular)であるために、等角マッピング技術(conformal mapping technique)(z→ω)が、必要とされる。(USP7053975)
$$ Typically these devices are manufactured using multi-step lithography/etching processes, to form the active device in a geometry conformal to the plane of silicon substrates. / 通常、これらのデバイスは、多数ステップのリソグラフィ/エッチング工程を使用して製造され、シリコン基板の平面に共形の幾何構造に能動デバイスを形成する。(USP6980362)
$$ Simultaneously the electrode material deforms around the contact conductor and forms a closely conformal contact with low electrical resistance and high resistance to leakage of electrolyte. / 同時に、電極材料が接触導電体の周囲で変形することで、電気抵抗が低く且つ電解質の漏洩に対する防御性の高い相似性の高い接触が得られる。(USP5914019)
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