ANNEAL
2017年03月13日
車馬駄馬田 at 08:00 | Comments(0) | an...
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ANNEAL
$$ Fluorescence reporting from a probe however used, operating for instance within a primer or in product strand annealing and melting, can take place in tenths of seconds to seconds. / 但し、例えば、プライマ内において又は生成物ストランドのアニーリング及びメルティングにおいて動作する使用プローブからの蛍光報告は、数十分の1秒~数秒において発生可能である。(USP7652266)
$$ Numerical optimisation techniques known to those skilled in the art, such as direct search, simulated annealing etc could also be employed to tailor the filter functions. / また、フィルタ機能を調節するために、直接サーチや模擬アニーリングなどのような当業者に公知の数値最適化技術を使用することもできると考えられる。(USP7649626)
$$ The temperature of the annealed material is then rapidly reduced, ideally to 0 to 5℃. (USP6392915)
$$ Surprisingly, there is at most very little movement of the implanted dopant by thermal diffusion during the laser anneal treatment. (USP5930609)
$$ The simulated annealing algorithm is also capable of generating a passband which is spectrally broadened, similar to the first to fourth embodiments, as is shown in FIGS. 21 and 22. / また、模擬アニーリングアルゴリズムは、図21及び図22に図示するように、第一乃至第四の実施の形態と同様にスペクトル的に拡張された通過帯域を発生させることもできる。(USP6339664)
$$ This allows the post anneal quality of the material to be kept to a high quality. (USP6632684)
$$ Additionally, a silicon germanium layer may be produced by ion implantation of silicon into the germanium followed by annealing. / さらに、シリコンゲルマニウム層は、シリコンをゲルマニウム中にイオン衝撃し、その後アニーリングを実施することによって製造される。(USP6177674)
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$$ Fluorescence reporting from a probe however used, operating for instance within a primer or in product strand annealing and melting, can take place in tenths of seconds to seconds. / 但し、例えば、プライマ内において又は生成物ストランドのアニーリング及びメルティングにおいて動作する使用プローブからの蛍光報告は、数十分の1秒~数秒において発生可能である。(USP7652266)
$$ Numerical optimisation techniques known to those skilled in the art, such as direct search, simulated annealing etc could also be employed to tailor the filter functions. / また、フィルタ機能を調節するために、直接サーチや模擬アニーリングなどのような当業者に公知の数値最適化技術を使用することもできると考えられる。(USP7649626)
$$ The temperature of the annealed material is then rapidly reduced, ideally to 0 to 5℃. (USP6392915)
$$ Surprisingly, there is at most very little movement of the implanted dopant by thermal diffusion during the laser anneal treatment. (USP5930609)
$$ The simulated annealing algorithm is also capable of generating a passband which is spectrally broadened, similar to the first to fourth embodiments, as is shown in FIGS. 21 and 22. / また、模擬アニーリングアルゴリズムは、図21及び図22に図示するように、第一乃至第四の実施の形態と同様にスペクトル的に拡張された通過帯域を発生させることもできる。(USP6339664)
$$ This allows the post anneal quality of the material to be kept to a high quality. (USP6632684)
$$ Additionally, a silicon germanium layer may be produced by ion implantation of silicon into the germanium followed by annealing. / さらに、シリコンゲルマニウム層は、シリコンをゲルマニウム中にイオン衝撃し、その後アニーリングを実施することによって製造される。(USP6177674)
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