USE (v) sth FOR sth
2016年07月05日
車馬駄馬田 at 08:00 | Comments(0) | us...
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USE (v) sth FOR sth
$$ Referring to FIG. 13, nodes A and B must both be using the same time slot for the link 3 between them, say time slot 1 transmit for A and time slot 1 receive for B. / 図１３を参照すると、ノードＡおよびＢは、例えば、タイムスロット１はＡ用伝送、およびタイムスロット１はＢ用受信など、それらの間のリンク３のために、ともに同じタイムスロットを使用していなければならない。(USP6553020)
$$ With such arrangements it is possible to correct for chromatic and other aberrations by using glass of different refractive indices and dispersion for the various elements. / このような構成では、種々の要素に、異なる屈折率および分散率（dispersion）をもつガラスを使用することにより色収差および他の収差を矯正できる。
$$ These frequencies are merely exemplary and those skilled in the art will be aware from the following description, that the invention could be practised using numerous other frequencies for the uplinks and downlinks. / これらの周波数は単なる一例であり、本発明は、アップリンクおよびダウンリンクに対する他の多数の周波数を使用して実行され得る。(USP6031489)
$$ It has been proposed to overcome the disadvantages of the above present system by using a thick P+ substrate for the anode and growing the N- layer epitaxially. / 上述のシステムの欠点を克服するために、アノードに対して厚いＰ+ 基板を用い、Ｎ- 層をエピタキシャル成長させる方法が提案された。(USP5429953)
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$$ Referring to FIG. 13, nodes A and B must both be using the same time slot for the link 3 between them, say time slot 1 transmit for A and time slot 1 receive for B. / 図１３を参照すると、ノードＡおよびＢは、例えば、タイムスロット１はＡ用伝送、およびタイムスロット１はＢ用受信など、それらの間のリンク３のために、ともに同じタイムスロットを使用していなければならない。(USP6553020)
$$ With such arrangements it is possible to correct for chromatic and other aberrations by using glass of different refractive indices and dispersion for the various elements. / このような構成では、種々の要素に、異なる屈折率および分散率（dispersion）をもつガラスを使用することにより色収差および他の収差を矯正できる。
$$ These frequencies are merely exemplary and those skilled in the art will be aware from the following description, that the invention could be practised using numerous other frequencies for the uplinks and downlinks. / これらの周波数は単なる一例であり、本発明は、アップリンクおよびダウンリンクに対する他の多数の周波数を使用して実行され得る。(USP6031489)
$$ It has been proposed to overcome the disadvantages of the above present system by using a thick P+ substrate for the anode and growing the N- layer epitaxially. / 上述のシステムの欠点を克服するために、アノードに対して厚いＰ+ 基板を用い、Ｎ- 層をエピタキシャル成長させる方法が提案された。(USP5429953)
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